硅N沟道功率MOSFET   CS8N80FA9D-TO220F   硅N沟道功率MOSFET  CS8N80FA9D-TO220F   800V 8A 50W  1.0Ω  CS8N80FA9D-TO220F   VGS=10V,ID=4.0A    概述：
CS8N80F A9D，硅N沟道增强
VDMOSFETs，通过自对准的平面获得的
技术，该技术减少了传导损耗，提高
开关性能，增强了雪崩能量。该
晶体管可以以各种功率开关电路被用于
系统的小型化和更高的效率。包装形式
TO-220F，与RoHS标准一致。 特征：
l快速切换
升ESD性能改进
l低栅极电荷（典型数据：49nC）
l低反向传输电容（典型：具有14pf）
L 100％单脉冲雪崩能量测试 应用：
适配器和充电器的电源开关电路。