EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器泰思特
3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。
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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：
全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。
自动识别阻容模块，并调整大电压。
低电压5V，1V步进调节电压
可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
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技术参数 |
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HBM 短路电流参数 |
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放电电容 |
100 pF |
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放电电阻 |
1500 Ω |
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峰值电流Ips |
0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V |
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上升时间 |
2 ns~10 ns |
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脉冲宽度 |
150 ns + 20 ns |
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振铃幅度 |
<15%峰值电流 |
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HBM 500欧电阻电流参数 |
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峰值电流Ipr |
375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V |
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Ipr/Ips |
≥ 63% |
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上升时间 |
5 ns~25 ns |
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MM短路电流参数 |
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放电电容 |
200 pF |
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放电电阻 |
0 Ù |
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峰值电流Ip1 |
0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V |
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Ip2/Ip1 |
67%~90% |
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周期 |
66 ns~90 ns |
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MM 500欧电阻电流参数 |
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峰值电流Ipr |
0.85 A~1.2 A @ 400 V |
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100 ns电流值 I100 |
0.23 A~0.40 A @ 400 V |
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I200/I100 |
30%~55% |
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通用参数 |
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输出电压 |
HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V) |
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极性 |
正、负或正负交替 |
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频率 |
0.1 Hz~5 Hz |
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触发次数 |
1~999次 |
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触发方式 |
自动，手动，外触发 |
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输入电源 |
AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz |
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环境温度 |
15℃~35℃ |
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储藏温度 |
-10℃~50℃ |
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相对湿度 |
25%~75% |
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尺寸 |
450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高) |
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重量 |
约10 kg |
