黑硅技术:从日渐成熟到实现量产,相比单晶硅片而言,金刚线切割的多晶硅片在电池端的制绒环节遇到了困难。金刚线的固结切割方式导致切割后的硅片表面损伤程度较浅、表面划痕密,从而导致了更高的反射率。单晶硅片采用碱制绒,在硅片表面形成“金字塔”状的绒面结构,较浅的损伤层并不影响绒面的形成。而多晶硅片采用酸制绒,对于硅片表面损伤层的依赖程度较高,因而金刚线切割的多晶硅片在经历酸制绒后依然存在较高的反射率,制成电池后效率比砂浆切割硅片低了将近0.4个百分点。这也是阻碍金刚线切割技术在多晶领域推广的的最重要原因。在此背景下,黑硅技术又换发了新的活力。黑硅技术在常规的酸制绒后,又增加一道工艺,从而解决了金刚线切多晶硅片的反射率过高问题,还能附带一定电池效率的提升。目前黑硅技术的成熟技术路线主要有干法(RIE)和湿法(MCCE)两种。干法黑硅技术相比而言效果更好,但由于需要新增设备和工序,成本相比湿法技术更改,目前的代表企业有晶澳、晶科等。湿法黑硅技术不需新增设备,只需在原有设备进行一些改动、添加一些化学试剂,因此前期投入很少,但同时也带来了环评等后期投入,稳定性略逊于干法黑硅技术。湿法黑硅技术的代表企业有阿特斯、苏美达旗下的中辉等。关于干法和湿法黑硅哪种会成为主流,市场还没有统一的结论。但在行业企业的努力下,黑硅技术已经逐渐变得成熟。从目前的进展来看,SOLARZOOM新能源智库了解到,目前已经有企业实现了小规模的量产,不但解决了金刚线切多晶硅片的制绒问题,还实现了0.4-0.6个百分点电池效率的提升。
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