MRF175GV /MRF175GU/MRF175LU  同系列型号电压相同，封装形式相同 代理商常备现货是主要差别在于 功率 频率。MRF175LU的价格最实惠 在50个美金左右，MRF175GV /MRF175GU则均在单片100美金以上 如需查询MRF175GV /MRF175GU/MRF175LU  的价格和交期可以咨询 立维创展黄小姐 QQ MRF175GV   The RF MOSFET Line W, 500MHz, 28V MRF175GU   The RF MOSFET Line W, 500MHz, 28V MRF175LU  The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V TMOS  TMOS Designed for broadband commercial and military applications using push pull circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands. 专为宽带商业和军事应用，使用推拉电路在频率为500兆赫。这些设备的高功率，高增益和宽带性能，使可能的固态发射机的调频广播或电视频道的频带。   一 MRF175GV的特征 N–Channel Enhancement Mode MOSFET N沟道增强型MOSFET– Low Crss — 20 pF typ @ VDS = 28 V 低反馈电容20 pF值@ VDS = 28 V Low Thermal Resistance 低热阻 100% Ruggedness Test at Rate Output Power 100%耐用性测试率的输出功率 Guaranteed Performance: MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix),Output power — 200 W, Power Gain — 14 dB (Typ.), Efficiency — 65% (Typ.)typ 性能保证：MRF175GV @ 28 V，225兆赫（“V”后缀），输出功率200 W，功率增益14 dB（典型值），效率65%（典型值）的典型值 Applications 应用 Aerospace and Defense 航空航天和国防 ISM ISM 二MRF175GV的规格 Min Frequency: 5 MHz 最小频率：5兆赫 Gain: 14 dB 增益：14分贝 Bias Voltage: 28 V 偏置电压：28伏 Efficiency: 65 % 效率：65% Pout: 200 W 撅嘴：200 W Max Frequency: 225 MHz 频率：225兆赫   三 MRF175GU的特征 Features  Guaranteed Performance: Output Power — 200 W, Power Gain — 14 dB (Typ.) Efficiency — 65% (Typ.)  100% RuggednessTested at a Rated output Power  MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix)  Low Crss — 20 pF typ @ VDS = 28 V  Low Thermal Resistance Applications  Aerospace and Defense MRF175GU的规格   四MRF175GU的Specifications 规格 Min Frequency: 5 MHz 最小频率：5兆赫 Gain: 12 dB 增益：12分贝 Bias Voltage: 28 V 偏置电压：28伏 Efficiency: 55 % 效率：55% Pout: 150 W 撅嘴：150 W Max Frequency: 400 MHz 频率：400兆赫   五MRF175LU的特征 Features 特征 N-Channel Enhancement Mode Device N沟道增强型装置 Guaranteed Performance: MRF175LU @ 28 V, 400 MHz (“U” Suffix), Output power — 100 W, Power gain — 10 dB (Typ.), Efficiency — 55% (Typ.) 性能保证：mrf175lu @ 28 V，400兆赫（“U”后缀），输出功率100 W，功率增益10 dB（典型值），效率55%（典型值） Low Crss — 20 pF Typ @ VDS = 28 V 低反馈电容20 pF值@ VDS = 28 V Low Thermal Resistance 低热阻 100% Rruggedness Tested at Rated Output Power 100% rruggedness测试在额定输出功率 Applications 应用 Aerospace and Defense 航空航天和国防 ISM ISM 六MRF175LU的规格 Specifications 规格 Min Frequency: 5 MHz 最小频率：5兆赫 Gain: 10 dB 增益：10分贝 Bias Voltage: 28 V 偏置电压：28伏 Efficiency: 55 % 效率：55% Pout: 100 W 撅嘴：100 W Max Frequency: 400 MHz 频率：400兆赫