综述 EM78P301N是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的8位微控制器。该控制器有片内1KX13位一 次性编程ROM(OTP-ROM)。它提供一个保护位用以保护用户在OTP存储器内的程序不被读取，三 个代码选项以满足用户的需要. 基于增强的OTP-ROM特性，EM78P301N可方便地开发和校验用户代码，另外，使用开发与编程 工具，使此OTP代码更新更加简单和有效，用户可利用义隆烧录器很容易地烧录其开发代码. 产品特性 &#; CPU 配置 • 1K×13位片内ROM • 80×8位片内寄存器(SRAM) • 8-级堆栈用于子程序嵌套 • 5V/4 MHz 工作条件下耗电流低于 1.5 mA • 3V/32kHz 工作条件下耗电流典型值为 15 μA • 休眠模式下耗电流典型值为 2 μA &#; I/O端口配置 • 3组双向I/O端口: P5, P6, P7 • 12 I/O引脚 • 唤醒端口: P5 • 8个可编程下拉I/O引脚(P50~P57) • 10个可编程上拉I/O引脚(P50~P57, P60, P67) • 2个可编程漏极开路I/O引脚(P60, P67) • 8个可编程高灌I/O引脚(P50~P57, P60, P67) • 外部中断 : P60 &#; 工作电压范围: • 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商规) • 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工规) &#; 工作频率范围(基于2个时钟周期): • 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V; DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V • ERC 模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V; • IRC 模式 振荡模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz 快速启动时间，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2: 15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz) 下只需10μs &#; 外设配置 • 8位实时时钟/计数器 (TCC)，其时钟源、边沿触发和溢 出中断可选 • 4个可编程低电压检测 (LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V • 上电复位和三个可编程电平复位 POR: 1.8V (默认), LVR: 4.0, 3.5, 2.7V • 8通道解析度为12位参考电压为(2/3/4v)的模数转换 器 • 两个脉宽调制器 (PWM)，8位分辨率 &#; 9个可用中断 • TCC 溢出中断 • 输入端口状态改变中断(可唤醒休眠模式) • 外部中断 • ADC 转换完成中断 • 低电压检测(LVD) 中断 • PWM1~2 周期匹配中断 • PWM1~2 占空比匹配中断 &#; 特性 • 可编程的自由运行看门狗定时器 (4.5 ms : 18 ms) • 休眠省电模式 • 上电电压侦测器 • 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好) &#; 封装类型: • 10-pin MSOP 118mil : EM78P301NMS10J • 14-pin DIP 300mil : EM78P301ND14J • 14-pin SOP 150mil : EM78P301NSO14J 注意: 绿色产品不含有害物质. 电话： QQ: