SC92F7003 20PIN，高速1T 8051内核Flash MCU ，512 bytes SRAM ，8 Kbytes Flash，128 bytes独立EEPROM，8路12位ADC，7路10位PWM，3个定时器，UART ，SSI ，Check Sum校验模块，STOP Mode电流<1uA工作电压： 2.4V~5.5V 工作温度： -40 ~ 85℃ 封装： SC92F7003Q20R（QFN20） SC92F7003X20U（TSSOP20） 内核： 高速1T 8051 Flash ROM： 8 Kbytes Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）可重复写入1万次 IAP：可code option成0K、0.5K、1K或8K EEPROM：独立的128 bytes，可重复写入10万次，10年以上保存寿命 SRAM：内部256 bytes+外部256 bytes 系统时钟（fSYS）: l内建高频 16MHz 振荡器（fHRC） n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择设定为MHz n频率误差：跨越 (2.9V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境，不超过 ±1% l内置高频晶体振荡器电路 n可外接2~16MHz振荡器 n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择使用外接晶振 这四种分频中的一种 lIC系统时钟（fSYS）对应的工作电压范围： n>12MHz 2.9~5.5V n≤12MHz 2.4~5.5V SC92F8003 20PIN，高速1T 8051内核Flash MCU ，512 bytes SRAM ，16 Kbytes Flash，128 bytes独立EEPROM，8路12位ADC，7路10位PWM，3个定时器，UART ，SSI ，Check Sum校验模块，STOP Mode电流<1uA工作电压： 2.4V~5.5V 工作温度： -40 ~ 85℃ 封装： SC92F8003Q20R（QFN20） SC92F8003X20U（TSSOP20） 内核： 高速1T 8051 Flash ROM：16 Kbytes Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）可重复写入1万次 IAP：可code option成0K、0.5K、1K或16K EEPROM：独立的128 bytes，可重复写入10万次，10年以上保存寿命 SRAM：内部256 bytes+外部256 bytes 系统时钟（fSYS）： l内建高频 16MHz 振荡器（fHRC） n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择设定为MHz n频率误差：跨越 (2.9V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境，不超过 ±1% l内置高频晶体振荡器电路 n可外接2~16MHz振荡器 n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择使用外接晶振 这四种分频中的一种 lIC系统时钟（fSYS）对应的工作电压范围： n>12MHz 2.9~5.5V n≤12MHz 2.4~5.5V
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