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苏州市半导体,值得信赖

  • 发布时间:2018-04-02 12:18:48
    报价:面议
    地址:广东,深圳,深圳市福田区深南中路华富路口南光大厦901-902
    公司:深圳市乾盛达科技有限公司

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    用户等级:普通会员

    1.深圳市乾盛达有限公司是一家专注于工农业、电子元器件、场效应管领域研、生产、销售的高新企业,凭借强大的研力量、严谨的生产管理经验以及“质量、信誉”的经营理念,成功地开出一系列拥有各项专利的高质量产品,比如稳压二管生产厂家x1e44een、深圳三管等。 2.mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或者称是金属—缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。场效应管通过投影一个电场在一个缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个缘体,所以FET管的GATE电流非常小。较普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE下的缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双型晶体管。在开关电源应用方面,这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如,DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,我们电路或者电源设计人员较关心的是MOS的较小传导损耗。我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是较重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的较简单的定义是结到管壳的热阻抗。其热况有:1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着热。这是设计电路的较忌讳的错误。2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以热也加大了。3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于较大电流,也可能热严重,需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。 产品其他资料: 产品名称:MOS; 价格:1; 热销区域:全国; 主营产品行业:工农业、电子元器件、二管、三管、场效应管、电容器、电阻器、电子材料零部件结构件; 企业类型:有限责任公司; 3.乾盛达秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的稳压二管、二管等产品和服务。欢迎广大客户惠顾!地址:

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