适用范围：
1．适用于1区、2区危险场所；
2．适用于ⅡA、ⅡB、ⅡC类爆炸性气体环境；
3．适用于爆炸性气体混合温度：T1~T4；
4．广泛用于石油开采、练油、化工、军工等危险环境及海洋石油平台、油轮等危险场所工作及场景照明之用；
产品特点：
1、铸铝合金外壳，表面喷塑；外形美观、结构简单、易于安装；
2、灯具采用专业散热设计结构，保证了LED灯具长寿命的运行；
3、玻璃透镜采用特制钢化玻璃，可承受7J以上耐冲击，强度高；
4、钢管或电缆布线均可；
技术参数：
1、执行标准：GB3836.1-2010 GB3836.2-2010
2、额定电压：AC100V-220V/50Hz 订制（DC12V 24V 36V）
3、额定功率：40灯珠 50W 70W (10串4并）
4、隔爆标志：ExdⅡCT4
5、防护等级：IP65 订制（IP67）
6、适用光源：LED 进品芯片：普瑞
7、显色指数 ：＞70
8、光源发光角度：100° 订制（30°45°60°）
9、引入电缆外径：G3/4或10-14mm
咨询电话： QQ
LED死灯的原因可能过百种，仅以LED光源为例，从LED光源的五大原物料(芯片、支架、荧光粉、固晶胶、封装胶和金线)的入手，介绍部分可能导致死灯的原因。
芯片
一、芯片抗静电能力差
LED灯珠的抗静电指标高低取决于LED发光芯片本身，与封装材料预计封装工艺基本无关，或者说影响因素很小，很细微;LED灯更容易遭受静电损伤，这与两个引脚间距有关系，LED芯片裸晶的两个电极间距非常小，一般是一百微米以内吧，而LED引脚则是两毫米左右，当静电电荷要转移时，间距越大，越容易形成大的电位差，也就是高的电压。所以，封成LED灯后往往更容易出现静电损伤事故。
二、芯片外延缺陷
LED外延片在高温长晶过程中，衬底、MOCVD反应腔内残留的沉积物、外围气体和Mo源都会引入杂质，这些杂质会渗入磊晶层，阻止氮化镓晶体成核，形成各种各样的外延缺陷，最终在外延层表面形成微小坑洞，这些也会严重影响外延片薄膜材料的晶体质量和性能。
三、芯片化学物残余
电极加工是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨，会接触到很多化学清洗剂，如果芯片清洗不够干净，会使有害化学物残余。这些有害化学物会在LED通电时，与电极发生电化学反应，导致死灯、光衰、暗亮、发黑等现象出现。因此，鉴定芯片化学物残留对LED封装厂来说至关重要。
四、芯片的受损
LED芯片的受损会直接导致LED失效，因此提高LED芯片的可靠性至关重要。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定芯片，因此会产生夹痕。黄光作业若显影不完全及光罩有破洞会使发光区有残余多出的金属。晶粒在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤的情况发生。
芯片电极对焊点的影响：芯片电极本身蒸镀不牢靠，导致焊线后电极脱落或损伤;芯片电极本身可焊性差，会导致焊球虚焊;芯片存储不当会导致电极表面氧化，表面玷污等等，键合表面的轻微污染都可能影响两者间的金属原子扩散，造成失效或虚焊。
五、新结构工艺的芯片与光源物料的不兼容
新结构的LED芯片电极中有一层铝，其作用为在电极中形成一层反射镜以提高芯片出光效率，其次可在一定程度上减少蒸镀电极时黄金的使用量从而降低成本。但铝是一种比较活泼的金属，一旦封装厂来料管控不严，使用含氯超标的胶水，金电极中的铝反射层就会与胶水中的氯发生反应，从而发生腐蚀现象。