国际市场供应链已基本成熟，但随着新能源等市场需求增长，市场链条正逐步演化。 而在国内，尽管我国拥有大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。
跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因主要是： （1）国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的专利壁垒。 （2）国外高端制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。 所以中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。
而技术差距从以下两个方面也有体现 （1）高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强； （2）IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。 而从地域上看，国内的IGBT从业厂商则如下图所示： 近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，IGBT国产化的进程加快，有望摆脱进口依赖。
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