IA15N10-TO252
N沟道MOS,Vdss=100V,VGS=±20,Id=15A,RDS(ON)<90mΩ VGS = 10V ,封装TO252
*一般描述:
IA15N10采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电压。 它可用于各种应用
*一般特征:
VDS =100V,ID =15A
RDS(ON)<90mΩ VGS = 10V
RDS(ON)<100mΩ VGS = 4.5V
超高密度电池设计,极低
RDS(ON)出色的导通电阻直流电流
*应用领域:
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
雾化器