、AP30N10D-TO252
N沟道MOS,Vdss=100V，VDS =100V，ID =30A，RDS（ON）<37mΩ VGS = 10V，
AP30N10D采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电压。 它可用于各种应用。
*一般特征：
VDS =100V，ID =30A
RDS（ON）<37mΩ VGS = 10V
高密度电池设计，适用于超低Rdson
高EAS，稳定性好，均匀性好
优良的封装，散热好
高ESD能力的特殊工艺技术
*应用领域：
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源
雾化器