西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
系统特征
测试范围广
升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A
应用领域
军工院所、高校、半导体器件生产厂商、
电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修等
测试范围 / 测试参数
1、二极管DIODE
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IR |
0.10V-2kV |
1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVR |
0.10V-2kV |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
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VF |
0.10V-5.00V -9.99V |
IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1mV |
VF:1%+10mV IF:1%+1nA |
2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICES IGESF IGESR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVCES |
0.1V-900V -1.4KV -1.6KV |
100μA-200mA -100mA -50mA |
1mV |
1%+100mV |
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VGETH |
0.10V-20V(50V)2 |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
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VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合参数) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA |