.工作温度
替代高Q值电容ATC100B2R2CW500XTV 2.2PF
替代高Q值电容ATC100B150JW500XTV 15PF
替代高Q值电容ATC100B200JW500XTV 20PF
替代高Q值电容ATC100B240JW500XTV 24PF
替代高Q值电容ATC100B5R6CW500XTV 5.6PF
替代高Q值电容ATC100B180JW500XTV 18PF
替代高Q值电容ATC100B4R7CW500XTV 4.7PF
替代高Q值电容ATC100B1R5CW500XTV 1.5PF
替代高Q值电容ATC100B2R0CW500XTV 2PF
替代高Q值电容ATC100B100JW500XTV 10PF
替代高Q值电容ATC100B120JW500XTV 12PF
替代高Q值电容ATC100B3R0CW500XTV 3PF
替代高Q值电容ATC100B3R9CW500XTV 3.9PF
替代高Q值电容ATC100B0R8CT500XTV 0.8PF
替代高Q值电容ATC100B331JT200XTV 330PF
替代高Q值电容ATC100E220KT3600XV 22PF
替代高Q值电容ATC100B270JW500XTV 27PF
替代高Q值电容ATC100B300JT500XTV 30PF
替代高Q值电容ATC100B6R2CT500XTV 6.2PF
替代高Q值电容ATC100B6R8CT500XTV 6.8PF
替代高Q值电容ATC100B130JT500XTV 13PF
替代高Q值电容ATC100B9R1CT500XTV 9.1PF
替代高Q值电容ATC100B8R2CT500XTV 8.2PF
替代高Q值电容ATC100B680JT500XTV 68PF
替代高Q值电容ATC100B2R4CT500XTV 2.4PF
替代高Q值电容ATC100B3R6CT500XTV 3.6PF
替代高Q值电容ATC100B1R2CT500XTV 1.2PF
替代高Q值电容ATC100B220JT500XTV 22PF
替代高Q值电容ATC100B6R8CT500XTV 6.8PF
替代高Q值电容ATC100B470JT500XTV 47PF
替代高Q值电容ATC100B330JT500XTV 33PF
替代高Q值电容ATC100B151JT300XTV 150PF
替代高Q值电容ATC100B121JT300XTV 120PF
一般电容与射频电容的区别：
一般电容是容纳电荷本领的物理量。它是一种静态电荷存储介质。
射频电容是去除高频如RF信号的干扰，为器件提供信号状态在高速切换时所需要的瞬间电流，避免射频能量进入配电网络，为器件提供局部化的直流电压源。
高频电容和低频电容的区别是由构成它的材料和结构决定的，不是由容量决定的.[1]
高频电容适合用于高频滤波的场合 --- 比如电脑主板和开关电源的二次输出整流，
低频电容适合用于低频滤波的场合 --- 比如交流电整流以后的滤波。
产品特点
1. 高Q值C0G系列MLCC，属于微波陶瓷多层片式瓷介电容器；
2. 采用顺电体微波介质材料；
3. 具有极高的稳定性，其电容量几乎不受时间、交流、直流信号的影响；
4. 具有极低的介质损耗，即极高的Q值，超低的ESR。
5. 适用于要求Hi-Q、超低ESR的射频微波线路。
此类介质材料的电容器为Ⅰ类电容，主要包括CQ 和CG 电容。其中CQ 电容器电性能最稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路。
特征
·具有高的电容稳定性，在-55℃~125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm，0±60ppm；
·层独石结构，具有高的可靠性；
·优良的焊接性和耐焊性，适用于回流焊和波峰焊；
·电容 ESR 很小，在电路中产生的热噪声非常小，适用于射频电路设计。
应用
·适用于低损耗，稳定性要求高的高频电路；
·适用于各种射频模块电路设计，包括手机通信、雷达、遥测遥控遥感、航空航天、GPS-北斗卫星定位、高性能计算机等。