中低压MOS供应,VS3426B/TDM3426B/MC3426B/KB3426B
,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET
特征:双N通道,5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS(on) V GS = 4.5 V.
快速切换
100%雪崩测试
无铅铅电镀;
符合RoHS标准
VS3622DE
封装:P 沟道DFN3*3
中低压MOS供应,VS3426B/TDM3426B/MC3426B/KB3426B
,30V/35A,双N沟道高级功率MOSFET
特征:双N通道,5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS(on) V GS = 4.5 V.
快速切换
100%雪崩测试
无铅铅电镀;
符合RoHS标准
VS3622DE
封装:P 沟道DFN3*3
提醒:联系时请说明是从志趣网看到的。
免责申明:志趣网所展示的信息由用户自行提供,其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。志趣网不提供任何保证,并不承担任何法律责任。 志趣网建议您交易小心谨慎。
©志趣网