10V-24V转12V 2A输出降压电源

3V升5v 2A   3.7V 升 12v 1A  5V 升 12v 1.5A      12V 升 24v 3.5A  
5V升9V/1A        5V 升 12V/800mA       8.4V 升 12V/2A      12V 升 19V/3A 
12V升24V 升 36V 升 48V 升 60V   24V升28V   5V升12V    3V升9V 升 12V  升压芯片 
MC 13 10  80v-12V输入升降压ic 12V 升 24V  升降压 ic  车充升降压芯片 
 10V-24V转12V 2A 输出 低压升压 3V 升 5V /2A 3V 升 12V 升 24V 升 36V 升 60V 
大电流降压芯片  MC1310 外置MOS管降压芯片  80V 转 75V 转 60V 转 48V 转 36V 转 24V 转 12V 
  MC 13 10 为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。 
广泛应： 
LCD Panel背光、通讯设备 
移动电源、医疗设备、车载电源 
应充电器、电动车系统供电 
其基本特性如下：  
1. 提供高**度参考电压源: 0.5V(+/-2%)  
2. Totem Pole 输出PWM  信号，用以直接推动 NMOS  
3. 宽工作电压范围：3.6V-15V  
4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz  
5. 欠压IC  栓锁功能 (UVLO)  
6. **PWM DTC  限制： 75%  
7. 软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp;am SCP)  
8. 省电功能 (Shutdow Mode)  
9. TSSOP-8L封装