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24C02 储存芯片 中文资料

  • 发布时间:2020-04-27 16:54:13
    报价:面议
    地址:广东,深圳,新安诺铂广场1904
    公司:深圳市聚能芯半导体有限公司

    手机:13808857247
    用户等级:普通会员

    样板申请:

    深圳市聚能芯半导体有限公司

    深圳宝安三十区诺铂广场1904室

    免费提供技术支持,免费提供DEMO测试及方案资料

    1.描述

    24C02/04/08/16/32/64是电可擦除PROM,分别采用256/512/1024/2048/4096/8192×8位的结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V,待机电流和工作电流分别为1μA和1 mA。24C02/04/08/16/32/64具有页写能力,每页分别为8/16/16/16/32/32字节。24C02/04/08/16/32/64具有8-引脚和8针SOP两种封装形式.

    2.特点

    宽范围的工作电压1.8V~5.5V

    低电压技术

    -1mA典型工作电流

    -1μA典型待机电流

    存储器结构

    -24C02,256 X8(2K位)

    -24C04,512 X8(4K位)

    -24C08,1024X8(8K位)

    24C16,2048 X8(16K位)

    -24C32,4096X8(32K位)

    24C64,8192X8(64K位)

    2线串行接口,完全兼容12C总线

    I2C时钟频率为1 MHz(5V),400 Khz(1.8V,2.5V,2.7V)

    施密特触发输入噪声抑制

    硬件数据写保护

    内部写周期(5毫秒)

    可按字节写

    页写:8字节页(24C02),16字节页(24C04/08/16),32字节页(24C32/64)

    可按字节,随机和序列读

    自动递增地址

    ESD保护大于2.5kV

    高可靠性

    -擦写寿命:100万次

    -数据保持时间:100年

    8针DIP和8引脚SOP封装无铅工艺,符合rohs标准

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