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FP6276 5V 2.1A同步升压移动电源应用

  • 发布时间:2020-05-08 09:32:28
    报价:面议
    地址:广东,深圳,新安诺铂广场1904
    公司:深圳市聚能芯半导体有限公司

    手机:13808857247
    用户等级:普通会员

    1. 大电流路径VIN 到L1 到LX,VO 到VOUT 走线要粗,铺铜走线。

    2. 电感L1 到IC 的LX 铺铜走线面积尽量小,降低切换时产生的突波电压。

    3. 输出电容C3/C4 要靠近IC 的PGND,减少VO - C3/C4 - PGND 的电流迴路面积,可有效抑制

    EMI 辐射。(注一)

    4. 输入电容尽量靠近VIN PIN 与GND PIN。

    5. R4 要靠近LX,C5 要靠近PGND,R4 与C5 之间一定要靠近。

    6. 尽可能加大PGND(GND)面积,加大IC 散热面积;PCB 的Top 与Bottom 层剩馀的空间全部

    铺GND,上下层多打VIA 连接,吸收高频杂讯。

    7. FB PIN 讯号敏感,要避开LX 切换点,避免受到干扰。

    8. 分压电组R1/R2 走线要短,尽量靠近FB PIN。

    9. L2/C6/C7 尽量靠近USB port,避免滤波完的电压受到其他杂讯影响而产生电磁辐射。

    10.IC 在昇压时输出电容(C3/C4)会一直有充放电的动作,在VO – C3/C4 – PGND 会产生一

    个电流迴路,这地方会产生快速的磁通量变化,而磁通量∝电流迴路面积,在PCB 板上

    的磁通量变化会产生与磁通量呈正比的突波电压,所以尽可能减少电流迴路面积,降低在

    PCB 板产生的磁通量,可有效抑制EMI 辐射。

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