直接测量千瓦激光器的大功率激光光束分析仪
大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理，都无法承受大功率激光的直接接收，因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高，仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围，这使得大功率激光无法实现直接检测，这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器，哪怕使用衰减片（ND）仍无法满足，甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用，这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。
以色列DUMA公司近期研制出一款风冷采样器，通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率，相比于衰减片（ND）而言，效率更高，且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配，出厂即完成装配，可以满足用户对于高功率激光的检测，对于连续激光，可以承受4KW的功率。
我司为用户提供两种系列光束质量分析仪，LAM和M2-Beam，其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光，其检测原理为刀口式测量原理，仅可检测连续激光（CW），M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然，为了满足用户对于脉冲激光（Pulsed）的检测需求，我们也提供CMOS传感器版本（-U3型号）。
以上机型均可安装风冷采样器，SAM-HP-M。需要注意的是，在测量大功率激光时，连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后，风冷采样器处于已装配状态，原则上讲我们不提倡用户将其拆卸，因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题，这会导致拆卸后无法安装的问题存在，基于更小的灵敏度，仪器哪怕装载了风冷采样器，对于小功率激光仍具备一定的探测能力。
大功率光束分析仪的核心部件——风冷采样器规格参数：
型号
SAM3-HP
光谱范围
250-2000nm
采样系数
1.1×10-5
外型尺寸
40 mm dia. × 31 mm length
通光孔径
8 × 8 mm
从输入到采样表面的最小光路
25mm（视具体型号而定）
LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数：
LAM-BA
LAM-U3
传感器类型
硅基，使用刀口法测量技术
CMOS
刀口数
7
-
光谱范围：
硅：350-1100nm
350-1310nm
功率范围@900/1070 nm
上限4KW（需要衰减片和高压空气风冷，可能会有一些限制）
连续激光1-2500W，脉冲激光1-1000W
光斑尺寸范围
35微米至8毫米
75微米-6毫米
分辨率（H × V像素）
根据光束大小自适应
1920 ×1200
传感器有效尺寸
9 × 9
11.34 × 7.13
工作距离
49mm
从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米
上限BPP
上限输入角度-25deg
上限输入角度-25deg
上限功率密度
1,000,000 W/cm2
1,000,000 W/cm2
光束宽度精度
± 1.5 ％
± 1.5 ％
功率精度
± 5 ％
± 5 ％
工作温度
0℃-35℃
0℃-35℃
M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格：
-输入光束
M2Beam
M2Beam U3
技术工艺
刀口式扫描原理，应用Si探测器，InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器
USB 3.0接口
CMOS 2.4MP
内置过滤论
光谱响应（nm）
SI传感器：350-1100
InGaAs传感器：800-1800
Enhanced InGaAs 传感器：800-2700
VIS-NIR：350-1600
UV-NIR：220-1350
激光功率范围
Si：100 μW-1 W（带衰减片）
InGaAs&UV：100 μW-5 mW
HP：4 kW以下
10μW-100mW，内置滤光轮
HP：4 kW以下
刀口数
7
—
光束尺寸
带透镜高达25mm直径（Si&UV版本）
束腰到透镜距离
2.0~2.5米效果好
最小2米
-扫描装配附件
材质
铝
透镜焦距
300mm（在632.6nm时）
透镜直径
25mm
扫描次数
140
最小步进尺寸
100μm
扫描长度
280mm
-整机
重量
2.5kg
尺寸
100×173×415 mm
托架
M6或1/4“固定
机械调整
水平角：±1.5°
垂直角：±1.5°
电缆长度
2.5m
高功率光束分析仪订购型号及描述：
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams