深圳聚能芯半导体专业中低压MOS管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商。
我们的优势：厂家直销，价格优势，货源充足，品质保证。
供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
SL40P03 -30V-39A 14毫欧DFN3x3-8
SL40P03 P沟道 30V39A MOS管
55V MOS管 N沟道
SL3422 55V2.1A SOT23-3L封装 N沟道
40V MOS管 N/P沟道
SL4480 40V13A SOP-8封装 N沟道
SL4184 40V60A TO-252封装 N沟道
SL4884 40V10A SOP-8封装 N沟道
40V MOS管 N沟道
SL4884 40V12.5A SOP8封装 N沟道
30V MOS管 N/P沟道
SL40P03 -30V-39A DFN3x3-8封装 P沟道
SL50P03 -30V-50A DFN3x3-8封装 P沟道
SL3009 30V9A 15毫欧 SOP-8封装 N沟道
SL3042 30V88A 8.5毫欧 DFN5x6A-8_EP封装 N沟道
SL3400 30V5.7A 18毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL3402 30V4A 40毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL3404 30V5.7A 19毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL3406 30V4A 50毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL8726 30V85A 3毫欧 TO-252封装 N沟道
SL30150 30V150A 2毫欧 DFN5x6A-8封装 N沟道
SLW7400 30V40A 9.5毫欧 DFN3x3-8封装 N沟道
20V MOS管 N/P沟道
SL2060 20V85A 5毫欧 TO-252封装 N沟道
SL2098 20V9.7A 7.5毫欧 DFN2X3A-6_EP封装 N沟道
SL2302 20V4.2A 36毫欧 SOT23封装 N沟道
SL3414 20V6A 20毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL3414E 20V4A 20毫欧 SOT23-3L封装带静电保护 N沟道
SL3416 20V6A 20毫欧 SOT23-3L封装 N沟道
SL3415 -20-4A 30毫欧 SOT23-3L封装 P沟道
SL3415E -20V-4A 34豪欧 SOT23-3L带静电 P沟道
SL3423 -20-3A 44毫欧 SOT23-3L封装 P沟道
SL4403 -20-10 20毫欧 SOP-8封装 P沟道
SL6411 -20V-85A 2.5毫欧 DFN5x6-8L封装 P沟道
低压MOS管 N+P沟道
SL4612 60V SOP-8封装 N+P沟道
SL4616 30V SOP-8封装 N+P沟道
SL4620 30V SOP-8封装 N+P沟道
低压MOS管 N/P双管
SL4803 -30V-6.5A SOP-8封装 P沟道双管
SL4813 -30V-9A SOP-8封装 P沟道双管
SL4822 30V8A SOP-8封装 N沟道双管
SL4828 60V6A SOP-8封装 N沟道双管
SL8810 20V7A TSSOP-8封装 N沟道双管
SL8814 20V7.5A TSSOP-8封装 N沟道双管
SL8820 20V7A TSSOP-8封装 N沟道双管
SL9926B 20V8A SOP-8 封装 N沟道双管
SL3020 30V16A DFN3.3x3.3-8-EP N沟道双管
中低压MOS管 替代AO系列
SL403 -30V-70A 5毫欧 TO-252封装 P沟道 优势替代AOD403
SL484 30V41A 14毫欧 TO-252封装 N沟道 优势替代AOD484
SL6601 30V SOT23-6封装 N+P双管 优势替代AO6601
SL6602 30V SOT23-6封装 N+P双管 优势替代AO6