一、概述

该套测试设备主要由以下几个单元组成：

Ø  开关特性测试单元

Ø  反向恢复测试单元

Ø  栅极电荷测试单元

Ø  安全工作区测试系统

Ø  结电容测试单元

Ø  栅极内阻测试单元

Ø  雪崩耐量测试单元

二、技术条件

2.1、功能范围：

可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。

2.2、环境要求

1、环境温度：15—40℃

2、相对湿度：存放湿度不大于70%

3、大气压力：86Kpa—106Kpa

4、电网电压：AC220V±10%无严重谐波

5、电网频率：50Hz±1Hz

6、电源功率：20KW

7、供电电网功率因数：＞0.9

8、气源要求：≥0.6Mpa

9、无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害。