2A50HB12C1U
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) -
• Ton(us) -
• Toff(us) -
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) -
• 封装 34mm
电气特性:
• 低开关损耗
• T(VJ OP)=125℃
• 超快速IGBT芯片
机械特性:
• 铜基板
• 标准封装
目标应用:
• 工业焊机
2A50HB12C1U
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 50
• Vce(sat),Max(V) -
• Ton(us) -
• Toff(us) -
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) -
• 封装 34mm
电气特性:
• 低开关损耗
• T(VJ OP)=125℃
• 超快速IGBT芯片
机械特性:
• 铜基板
• 标准封装
目标应用:
• 工业焊机
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