2A75HB12C1U
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 75
• Vce(sat),Max(V) -
• Ton(us) -
• Toff(us) -
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) -
• 封装 34mm
电气特性：
• 低开关损耗
• T（VJ OP）=125℃
• 超快速IGBT芯片
报价：面议
地址：湖北,鄂州,武大园路武大航域D8栋
公司：武汉科琪电子有限公司
手机：15527425941
用户等级：普通会员
提醒：联系时请说明是从志趣网看到的。
2A75HB12C1U
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• Ic(A),Tc=80℃ 75
• Vce(sat),Max(V) -
• Ton(us) -
• Toff(us) -
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) -
• 封装 34mm
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