无线充MOS找至为芯科技AGM306MAP
通用描述:
AGM306MAP结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻包,以提供极低的RDS(ON)。 该装置是理想的负载开关和电池保护应用。
特点:
先进的高电池密度沟槽技术
低RDS(ON),以尽量减少导电损耗
低门电荷,以快速切换和低热阻
应用:
MB/VGA Vcore
SMPS第二同步整流器
POL应用
BLDC电机驱动器
无线充MOS找至为芯科技AGM306MAP
通用描述:
AGM306MAP结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻包,以提供极低的RDS(ON)。 该装置是理想的负载开关和电池保护应用。
特点:
先进的高电池密度沟槽技术
低RDS(ON),以尽量减少导电损耗
低门电荷,以快速切换和低热阻
应用:
MB/VGA Vcore
SMPS第二同步整流器
POL应用
BLDC电机驱动器
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