4寸N型硅掺杂Si-doped蓝宝石氮化镓晶片厂商
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片,衬底结构为GaN on Sapphire,尺寸目前有2英寸,4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂,及Mg镁掺杂,抛光要求可为单抛或双抛。
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向:C-plane(0001)±0.5°
位错密度:≤5x108cm-2
抛光要求:单抛/双抛
4寸N型硅掺杂Si-doped蓝宝石氮化镓晶片厂商
苏州恒迈瑞材料科技生产供应氮化镓复合衬底片,衬底结构为GaN on Sapphire,尺寸目前有2英寸,4英寸。导电类型分为n型非掺杂、n型硅掺杂,及Mg镁掺杂,抛光要求可为单抛或双抛。
氮化镓外延厚度:4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向:C-plane(0001)±0.5°
位错密度:≤5x108cm-2
抛光要求:单抛/双抛
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