天津IGBT回收公司
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
部分型号：
MCP73831-2ACI/MC
MAX680CSA
PIC12F675芯片
MAX1202BCAP+T
GRM155R61C225KE44D
STW8T36B(Q5Gx)
875B-1AC-F-S-12VDC
SVF7N65F
2SA1641STLE
CL31B104KCFNNNE
MT18KSF1G72HZ-1G4E2
CZRUR52C15
ISL95837HRZ-T
MAX232CSE
DS600U
MAX3232ECUE+T
YDA174-Q
RC0402FR07150KL
209 002.XEP
LMV1032URX-15/NOPB
RC0805FR-07510RL
MC7905CD2TR4G
MAX1636EAP
MIC2545A-2YMTR
40F000
ADL5372ACPZ-R7
ATMEGA48PA-AU
TUN-S701F
GEDT0001
ZL50018GAC
ME6206A33XG
47589-0001
R1Q2A7218ABG-50IA1
J12A-TR
RC02W223JT
EE-SJ5-B
NSK70725PE.B2
C1250B1-0137-350M
CD74HC4053M96G3
TAJD336K016RNJ
MAX1931EUB-T
COM20020I3V-DZD-TR
500R07W332KV4T
RC0603FR-0710KL
