南京IGBT回收公司
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
部分型号：
WSL2512R3000FEA
RC0603FR-07205KL
19S64E-500N5
NCC | EKYB350ETD271MH15D
CRCW0KFNED
GBLC03C-LF-T7
MAX8216ESD+T
SMDA05.TBT
CC0603KRX7R7BB224
39506-1004
HLMP-1719A0002
ATMEEGA32-16AU
MIC94310-LYCSTR
SI4925BDY-T1-E3
KH-R.MIC-12012
NST3946DXV6T5G
TSM1A103F34D1RZ
RJR26FP203P or R
SN74CBT3306PWR
L77TWP3W3SEP2V4FRM6
ERJ-3EKF2941V
B69843N3357A120
M24C08WMN3T/TP
YAGEO:CFR-25JT-52 10K
MT6236A/C
AF2-2.00V125TM
MSP430F2274IDA
1-6-4
C1608X5R1A474K080AA
B82442T1332K050
EP3C5F256C8N
MC100LVELT22DTRG
MAX6700UT+T
MAX9030AXT+T
CS12-F2GA472MYVS
GRM1555C1H330JA01D
TPD4S012DRYR
T520B157M006ATE070
BQ01-L
TPS78001DDCR
STW9Q14C T5H13Y3
S29GL128S90TFI02
TLE7250G
VLSHBX-3R3M-1
