P通道增强模式垂直D-MOS晶体管
具有高速开关，无二次故障，非常低的电阻。应用于低损耗电机和执行器驱动器的电源开关。
描述SOT223塑料SMD封装中的P通道增强模式垂直D-MOS晶体管。
根据绝对额定系统（IEC134）。注1。脉冲宽度和占空比受结温度的限制。
2.装置安装在环氧树脂印刷电路板上，40×40×1.5mm；排水管的安装垫至少6cm2。符号参数条件为小值。
单元VDS漏极极电压（DC)−−30VVGSO门源极电压(DC)
开式漏极−±20VID漏极电流(DC)Ts≤100°C−−3AIDM峰值漏极电流注释1−−12APtot总功耗Ts=100°C