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电子元器件测试服务实验室

  • 发布时间:2024-04-18 11:04:17
    报价:面议
    地址:陕西,西安,西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼1031
    公司:西安长禾半导体技术有限公司
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    电话:029-81153217
    用户等级:普通会员 已认证

    设备简述

    IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验  方法。是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配,同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750,IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、高效等优点。

    电气系统额定参数

    A.输入电压:380V AC;

    B. 输出电压:0-5000V DC;

    C. 输出电流:2.5A(Max);

    D. 工作相抵湿度:空气湿度 < 50%(高压设备严格要求);

    E. 环境温度:0-50℃。

    测试技术参数

    1)每个工位电流:输出范围0-40mA,过流保护值40Ma,

    2)输出电压:200-4700V,分辨率10V,精度±2%±10V,(空-满载调整率<2%),100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V,(空-满载调整率<2%)。试验电压可设定保护值,保护动作时切断主电路,并带有声光报警。

    3)工位输出电流:每个工位分为高低档,低档:0.1-15ma,分辨率0.1ma,精度±2%±0.1ma;高档:15-40ma,分辨率0.1ma,精度±5%±0.5ma;漏电流采集模块内三只单管的并联值。漏电流可设定保护值,保护动作时切断相应工位主电路,并带有声光报警。

    4)工位对IGBT封装的兼容性:本设备适用器件尺寸190×140mm,夹具适配器调整后可兼容130×140mm尺寸。

    每个工位有卡槽固定IGBT基板位置,气缸控制适配器,气动下压;模块基板采用气动压接方式固定在加热体表面;本试验台另配气泵等附件。

    规格

    尺    寸:1800×650×500(mm)

    质    量:175kg

    测试工位:20工位

    工位转换:自动切换

    耐温范围:-50ºC~140ºC

    技术指标

    静态参数测试

    高压反偏测试

    测试参数IR

    0.01mA~2mA

    0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA~2mA±3%±0.1mA

    测试条件:

    反向电压:直流50~5000V ±3%±10V.

    试验电压: 50~5000V ±3%±10V

    器件漏电流测试范围: 0.01mA~2mA

    0.01mA~1mA±3%±0.01mA

    1mA~2mA±3%±0.1mA 测试时间:

    计算机设定

    测试方法:

    器件在特定温度下存储一定时间后,在设定电压下对每只器件同 时持续加反压进行测试,每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果, 监控各器件反压下漏电流参数,并保存测试数据。

    测试参数BVR

    50V~5000V±3%±10V。

    测试条件:

    反向电流:0.01mA~2mA;直流方波。

    0.01mA~1±3%±0.01mA; 1mA~2mA±3%±0.1mA。

    测试方法

    器件在特定温度下存储一定时间后,先测试IR ,每只 器件依次进行测试,测试间隔时间为约1S。然后同时 测试BVR,依次采集电流。间隔时间为约100mS。

    电子元器件测试服务实验室

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