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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
部分型号：
ANTA0HC12451WLAN2
TMPC0603H-5R6MG-D
L6565
LP8557IAYFQR
IXFX90N60X TO-247
GT-14088
IPP075N15N3G PG-T0-220-3
CR0402FF14R0G
S1J-E3/61T
BLM15PD300SN1D
DC03000L20Q
75MHZ-CFPS-73IB
SM4331PSKC-TRG
AS5510-DSOM AMS
RTL8231-GR
DW01A
HM3400
RK73H2ATTD3013F
0CSCN015012N
ENFPA9C5F26
TLV5625ID
SAFFB1G56AC0F0A
ACA-SPI-006-T01
ANTA0DC09362WLAN1
28K64B-900N5
C0F-01
IC-TDA2003
CR0402FF29R4G
STM32F030F4P6
LM25085AMME/NOPB LM25085MY/NOPB
KQ0805TTE68NG
NC7SZ125L6X
PF8BFMAD20AA
000011T00
SI51218-A1EAGMR
SG-72640-XUA
RC0603FR-0712KL
DS1721U+T&R
GRM0335C1E4R7CA01D
SA00007OG1S
DC02C00FT00
DC330021F1L
GA00000OR0L
AD5062BRJZ-1500RL7 AD5062BRJZ-2500RL7
