描述
CS10N80FA9D，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
特征
•快速切换
•lESD改进能力
•低栅极电荷（典型数据：65nC）
•低反向转移电容（典型值：25pF）
•100%单脉冲雪崩能量测试
应用
•PC Power的电源开关电路
报价：面议
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