描述
CS45N06A4是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过高密度沟槽技术获得，可降低传导损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。该设备适合用作负载开关和PWM应用。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
特点
快速切换
低导通电阻（Rdson≤16米Ω)
低栅极电荷
低反向转移电容
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路
LED背光驱动器
同步校正
报价：面议
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