5.3.5 User flash 区擦除操作
User flash 区支持以下擦除方式：
l 页擦除（512 字节）
l 块擦除（16KB）
l 批量擦除（128KB）
Flash 存储器在执行擦除操作时，不能同时进行读取操作，需要等待存储器完成 擦除操作后，读取操作才能正常进行，擦除完成后的 Flash 数据为全 1。
5.3.5.1 User flash 区页擦除步骤
对 User flash 区进行页擦除操作（512 字节），可遵循以下步骤：
1） 检查 Flash 状态寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 标志，以确认当前没有正在执行的 Flash 操作；
2） 检查 FLASH_SR 寄存器，确认错误标志均已清除；
3） 解锁 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（详见：Flash 控 制寄存器解锁）
4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 01，进入页擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[7:0]位域，选择待擦除区域的页号；
6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，启动 Flash 擦除，同时 BSY 标志将自动置 1；
7） 查询并等待 BSY 标志清 0，表明擦除操作已完成，此时 ERASE 位也将自 动清 0；
8） 如果要对多个页执行擦除操作，可重复执行步骤 5 到 7；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 00，退出擦除模式；
10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢复 FLASH_CR 寄存器的写保护锁定状态。
5.3.5.2 User flash 区块擦除步骤
对 User flash 区进行块擦除操作（16KB），可遵循以下步骤：
1） 检查 Flash 状态寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 标志，以确认当前没有正在执行的 Flash 操作；
2） 检查 FLASH_SR 寄存器，确认错误标志均已清除；
3） 解锁 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0；（详见：Flash 控制寄存器解锁）；
4） 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 10，进入块擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[2:0]位域，选择待擦除区域的块号；
6） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，启动 Flash 擦除，同时 BSY 标志将自动置 1；7） 查询并等待 BSY 标志清 0，表明擦除操作已完成，此时 ERASE 位也将自动清 0；
8） 如果要对多个块执行擦除，可重复执行步骤 5 到 7；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 00，退出擦除模式；
10） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢复 FLASH_CR 寄存器的写保护锁定状态。
5.3.5.3 User flash 区批量擦除步骤
批量擦除用于擦除整个 User flash 区域（128KB），可遵循以下步骤：
1） 检查 Flash 状态寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 标志，以确认当前没有正在执行的 Flash 操作；
2） 检查 FLASH_SR 寄存器，确认错误标志均已清除；
3） 解锁 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（详见：Flash 控制寄存器解锁）；
4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 11，进入批量擦除模式；
5） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1，启动 Flash 擦除，同时 BSY标志将自动置 1；
6） 查询并等待 BSY 标志清 0，表明擦除操作已完成，此时 ERASE 位也将自动清 0；
7） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域为 00，退出擦除模式；
8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢复 FLASH_CR 寄存器的写保护锁定状态。
5.3.5.4 User flash 区擦除错误
在对 User flash 区执行擦除操作的过程中，可能会出现以下错误标志：
l Flash 操作序列错误标志 PESERR：
- 在 ERASE 位被置 1 的同时，如果 ER_MODE[1:0] 位域为 00，则不会
启动擦除操作，错误标志 PESERR 将置 1；
- 在 ERASE 位被置 1 的同时，如果待擦除的区域（PNB[7:0]）超出了
Flash 的有效空间，则不会启动擦除操作，错误标志 PESERR 将置 1；
- 当有错误标志（PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR）
未被清除时，配置 ERASE 位置 1，则不会启动擦除操作，错误标志PESERR 将置 1；
- ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 个以上控制位同时置 1，
则不会启动对应的操作，错误标志 PESERR 将置 1。
l 写保护错误标志 WRPERR：
- 如果要擦除的区域受到安全保护机制的影响，包含有受保护的区域，
则不会启动擦除操作，FLASH_SR 寄存器中的 WRPERR 标志将置 1。
5.3.6 User flash 区编程操作
对 Flash 存储器执行编程操作，每次能写入的数据长度固定为 32bits（字），不支持其他长度的数据写入。
FLASH 存储器在执行编程操作时，不能同时进行读取操作，需要等待存储器完成编程操作后，读取操作才能正常进行。
与 Flash 擦除操作类似，编程操作也会受到安全保护机制的影响：
5.3.6.1 User flash 区编程操作步骤
对 User flash 区进行编程操作，可遵循以下步骤：
1） 检查 Flash 状态寄存器（FLASH_SR）中的 BSY 标志，以确认当前没有正在执行的 Flash 操作；
2） 检查 FLASH_SR 寄存器，确认错误标志均已清除；
3） 解锁 Flash 控制寄存器（FLASH_CR），使 LOCK 位清 0（详见：Flash 控制寄存器解锁）；
4） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 为 1，进入 Flash 编程模式；
5） 向 Flash 目标地址写入 32bits 数据，写入后 BSY 标志将自动置 1；
6） 查询并等待 BSY 标志清 0，表明编程操作已完成；7） 如果要对多个地址进行编程，可重复步骤 5 和 6；
8） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 位为 0，退出 Flash 编程模式；
9） 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1，恢复 FLASH_CR 寄存器的写保护锁定状态。
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