氮化铝陶瓷用于IGBT模块

氮化铝优良绝缘，高频损耗小，耐热，热膨胀系数小，机械强度大，热传导好，耐化学腐蚀，稳定，热导率高，光传输特性好，电性能优良，机械性能好，尺寸大小及厚度可根据顾客要求定制。公司已经拥有一整套从日本、美国等国进口的、配备完善的电子陶瓷生产设备和检测仪器，是一家规模化、采用流延法生产氮化铝陶瓷基板的企业，主导产品是氮化铝陶瓷基板及其相关电子元器件。与国外同行企业相比较，在氮化铝陶瓷基板流延浆料配制、低温烧结等方面，公司自有的氮化铝陶瓷流延法生产技术与工艺，所生产的氮化铝陶瓷基板具有高的热导率、较低的介电常数和介质损耗、优良的力学性能，可广泛应用于电子信息、电力电子等高技术领域。开发了一种将氮化铝 (AlN) 直接晶圆键合到镀有 AlN 的晶圆的方法。晶圆直接键合需要光滑、平坦、亲水的表面，这些表面能够被适当带电的氢分子表面处理。华清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN衬底。我们的氮化铝基板 (AlN) 有各种尺寸和厚度可供选择。 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模块是多种工业设备逆变器所需的器件，自 1990 年以来推动了高电流和高电压的趋势。氮化铝 (AlN) 陶瓷具有高导热性和良好的绝缘性，适用于IGBT模块。得益于大量的实时库存，我们可以快速运送您的零件，以便您开始您的项目。请联系我们定制。我们还可以提供导热系数高达 230W/mK 的氮化铝 (AlN) 陶瓷。