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AP50N10 场效应MOS管 TO252 100

  • 发布时间:2024-03-02 00:00:00
    报价:面议
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    Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology Product Summary BVDSS RDSON ID 100V 18 mΩ 50A Description TO252 Pin Configuration The AP50N10 is the highest performance trench N- ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . The AP50N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

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