器件描述：漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A
应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中的桥式整流器和反激式变换器，可用于高频开关电源中的半桥和全桥拓扑结构。
总之，STD4NK60ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用场合。
STD4NK60ZT4，LM317MDT-TR，L78M12CDT-TR，L78L05ABUTR，L78L05ACUTR，L78L09ABUTR，L78M05ABDT-TR，L78M05CDT-TR，STTH6003CW，STTH12R06FP，STTH12R06D，
STTH8S06FP，STTH8S06D，STTH8R06D，STTH8R06FP，STTH1002CT，STTH1602CT，STTH1002CFP，STTH1602CFP，STPS20150CT，STPS20H100CT，STP10NK60ZFP，STP26NM60N，
STP22NM60N，STP7NK80ZFP，STP4NK60ZF，STF18N60M2，STF22NM60N，STF28NM50N，STF26NM60N，STPS2045CTC，STTH2003CT，STTH2003CFP，VIPER22ADIP-E，STGW39NC60VD，STW26NM60N，STPS30L60CT，STPS6045CW，STPS4045CW，STGP19NC60KD，STF13NM60N，STPS20S100CT，STW9NK95Z，STTH8L06FP，STF24N60M2，
LM2904DT，STF6N95K5，L78M15CDT-TR，L6574D013TR，SG3525AP013TR，BTA12-600BRG，L7812CD2T-TR，NCP1654BD65R2G，NCP1337DR2G，NCP1252ADR2G，MP1658GTF-Z，
MP9487GN-Z，AZ431AN-ATRG1，AZ431AR-ATRE1，STF24NM60N，VIPER17LN ，L6599DTR，VIPER16LDTR ，ADUM1201ARZ-RL7，SPV1040TTR，VIPER17LDTR，STD100N10F7，
STF13N80K5，L78L05ABZ-AP，STW9NK90Z。