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永源微AP6G03S、30V N+P沟道MOS管

  • 发布时间:2023-09-28 09:29:53
    报价:面议
    地址:广东,深圳,深圳市福田区红荔路上步工业区505栋6楼608
    公司:深圳市芯美力科技有限公司
    手机:18028337418
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    电话:0775-83259097
    用户等级:普通会员 已认证

    描述:
    AP6G03S采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压,电池保护或其它开关应用。
    一般特征:
    VDS=30伏内径=10安
    RDS(ON)<25mω@VGS=10V
    VDS =-30V ID =-7.6 A
    RDS(ON)<-48mω@VGS= 10V

    应用:
    电池保护
    负载开关
    不间断电源

    基本参数:
    工作温度:-10℃
    工作温度:130℃
    电源电压:1.5V
    电源电压:7.5V
    漏源电压:+30V
    栅源电压:20V
    脉冲漏极电流:20
    单脉冲雪崩能量:22
    雪崩电流,21 
    储存温度范围,-55到150°
    输入电容:VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
    封装:SOP-8 管装

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