描述 N 通道增强型功率场效应晶体管采用 SGT 技术。这种先进的技术特别适用于最小化通态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换向模式下抵抗高能脉冲。这些器件非常适合于高效率的快速切换应用超低 RDS (上)优越的热阻优异的可靠性和均匀性电机驱动器 BMS
参数
排泄源电压 VDS 40
VGate-Source 电压 VGS ± 20 V
连续排泄电流 ID200脉冲排泄电流 IDM600单脉冲雪崩能量 EAS760mJ
报价：面议
地址：广东,深圳,深圳市福田区华强北街道华强路华强A座14G
公司：深圳市艾芯微科技有限公司
手机：15814000010
微信：WZW20211103
用户等级：普通会员 已认证
提醒：联系时请说明是从志趣网看到的。