Asymmetric Gate turn-off Thyristor
5SGA 40L4501
VDRM = 4500 V
ITGQM = 4000 A
ITSM = 25×10 3 A
VT0 = 2.1 V
rT = 0.58 mΩ
VDcb = 2800 V
· 自由漂浮硅技术
· 低导通损耗和开关损耗
· 环形闸极
· 工业标准外壳
· 宇宙辐射耐受等级
门极可关断晶闸管（GTO）的生产始于19世纪80年代中期。GTO是晶闸管的其中一种，可以通过门极施加反向电流使其关断。GTO 的生产始于 20 世纪 80 年代中期。GTO 是一种晶闸管，向门级反向施加电流便可关断，反之则导通。
GTO 经过优化，传导损耗很低。对于大多数应用，典型的开关频率在 200 - 500 赫兹范围内。GTO 本质上是相对较慢的开关。从开到关的典型转换时间在 10 - 30 微秒范围内，反之亦然。GTO 的导通和关断都需要称为“缓冲器”的保护网络。导通缓冲器电路本质上是电感器，可以限制电流上升的速率。至于关断，GTO 需要一个限制电压上升速率的器件，从本质上来说就是电容器。日立能源所有的 GTO 都是压接封装器件。以大力将 GTO 压接到散热器上，而散热器也当作电源端子的电触点。
