详细介绍:
▪行业领先的噪音性能,通过专利放大器和滤波器设计技术
▪集成盾大大降低了电容耦合电流导体死于高dV / dt信号,防止高侧,高电压应用中的偏置漂移
▪总输出误差改善通过增益和失调调整温度
▪小型封装尺寸,安装简便
▪高可靠性的单片霍尔IC
超低功耗:100μΩ内部导体电阻
▪电气隔离,允许使用经济,高侧电流感应的高电压系统
至5.5 V单电源操作
详细介绍:
▪行业领先的噪音性能,通过专利放大器和滤波器设计技术
▪集成盾大大降低了电容耦合电流导体死于高dV / dt信号,防止高侧,高电压应用中的偏置漂移
▪总输出误差改善通过增益和失调调整温度
▪小型封装尺寸,安装简便
▪高可靠性的单片霍尔IC
超低功耗:100μΩ内部导体电阻
▪电气隔离,允许使用经济,高侧电流感应的高电压系统
至5.5 V单电源操作
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