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二手QT2晶体管特性图示仪 测量半导体二极管、三极

  • 发布时间:2014-12-04 13:15:12
    报价:面议
    地址:广东,深圳,龙岗区龙城街道爱联社区嶂背一村别墅区一巷三栋
    公司:深圳市福田区鑫民泰仪器行
    手机:13713875417
    微信:szmtyq
    电话:0755-83794885
    用户等级:普通会员 已认证
    QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。 集电极电流可达50A,基本满足500W以下的半导体管的测试。 具备高压测试能力,可对3KV(5KV)\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试,其测试电流灵敏度可达到0.5uA/度。 基极阶梯信号具有脉冲阶梯输出,可测量二次击穿特性。 特点:大功率器件测试, IGBT模块测试 MOS管测试 专业销售/收购/维修、租赁二手仪器设备
    手机:李汉明曾小姐,QQ308966 

    集电极扫描信号 (输出电压范围/电流容量)
    三极管和二极管
     0~10V / 50A (脉冲阶梯) 20A(平均值)
     0~50V / 10A (平均值)
     0~100V / 5A (平均值)
     0~500V / 0.5A (平均值)
    二极管高压测试
     0~5KV(3KV) / 5mA ()

    基极阶梯信号

    阶梯电流:1uA~200mA/级,分17档 阶梯电压:0.05~1V/级,分5档 阶梯波形:正常(100%),脉冲(10~40%)

    Y轴偏转系数

    集电极电流:1uA~5A/度,分21档 二极管电流:1~500uA/div,分9档 集电极及二极管电流倍率:×0.5

    X轴偏转系数

    集电极电压:10mV~50V/度,分12档 二极管电流:100~500V/度,分3档 基电极电压:10mV~1V/度,分7档

    一般性能

    有效显示面10×10div(1div=0.8cm) 视在功率 约80VA 约300VA(功率) 外形尺寸 30×40×52cm 重量 30kg

    反向击穿电压测试

    VCBO 集电极 - 基极 (发射极开路) VEBO 发射极 - 基极 (集电极开路) VCEO 集电极 - 发射极 (基极开路) VCER 集电极 - 发射极 (基极与发射极间电阻连接) VCES 集电极 - 发射极 (基极与发射极短路)

    各种特性曲线

    VCE - IC 共发射极 (基极信号为变量) IB - IC 共发射极 VBE - IB 共发射极 VBE - IO 共发射极

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