简介（ power semiconductor device testing system Introduction）                   YB6800是一款很具有代表性的功率半导体器件测试系统，也是一款新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。           通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。   大功率半导体分立器件测试系统特点 1.图形显示功能                            2.局部放大功能 3.程序保护电流/电压,以防损坏         4.品种繁多的曲线 5.可编程的数据点对应                    6.增加线性或对数 7.可编程延迟时间可减少器件发热           8.保存和重新导入入口程序 9.保存和导入之前捕获图象                 10.曲线数据直接导入到EXCEL 11.曲线程序和数据自动存入EXCEL            12.程序保护电流/电压,以防损坏   通信接口：RS232 USB 系统功耗：<150w 设备尺寸：650mm×570mm×1780mm   测试范围range    YB6800功率器件测试系统是专为测试半导体分立器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列： 二极管 DIODE  IR；BVR ；VF 晶体管（NPN型/PNP型）-- ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF J型场效应管J-FET --IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF MOS场效应管  MOS-FET--IDSS；IDSV；IGSSF；  IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS 双向可控硅TRIAC --VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- 可控硅SCR --IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT --ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS 硅触发可控硅STS--IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- 达林顿阵列DARLINTON--ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON 光电耦合OPTO-COUPLER--ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) 继电器RELAY--RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME 稳压、齐纳二极管ZENER--IR；BVZ；VF；ZZ 三端稳压器REGULATOR--Vout；Iin； 光电开关OPTO-SWITCH--ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF 光电逻辑OPTO-LOGIC--IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF 金属氧化物压变电阻MOV--ID+   ID-；VN+；  VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； 固态过压保护器SSOVP--ID+   ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+    IBO-；VBO+   VBO-；VZ+  VZ- 压变电阻VARISTOR--ID+；  ID-；VC+   ；VC- 双向触发二极管DIAC--VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR   测试仪指标index     1.测 试 电 压： ≤2KV     2.测 试 电 流： ≤50A     3.电 压分辨率： 1mV     4.电流 分辨率： 0.1nA                 5.测 试 精 度： 0.2%+2LSB