铌靶类,溅射铌靶类,磁控溅射铌靶类,平面磁控铌靶类,
铌靶材,执行标准 ISE ASTM F67 规格 Dia.1-200mm.铌棒铌板铌丝铌管铌靶牌号: RR产品规格：￠3~￠120mm 执行标准: ASTM B392-98.材料：铌、Niobium(Nb) 牌号:Nb1 Nb2.铌是灰白色金属，熔点2468℃，沸点4742℃，密度8.57克立方厘米.
靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
镀膜铌靶类,圆/矩片靶，圆柱靶，管型铌靶类, 铌靶材类有铌靶材,钽靶材,钛靶材,锆靶材,镍靶材,钼靶材,高纯钛靶材.
