系统概述
设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
测试参数
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IGKO、R(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBBBVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF 间接参数：IL
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET ）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）