测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET ）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
该系统是针对IGBT 器件的开关特性及内部续流二极管 的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适用于电流 不大于 1500A，集电极电压不大于3500V，续流二极管正向电流不大于2000A的 IGBT 器件的特性参数测试。
系统单元
该系统的测试单元通过电容充放电原理产生电流波形，测试时根据不同的测试条件，设定测试电压，再通过调节不同的电感值或选择不同的测试脉冲宽度来
输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并进行最终的编辑和打印。