锑化铟(InSb)单晶
1,工艺:提拉法生长锑化铟单晶;
2,纯度:6N(99.9999%) ;
3,检验: GDMS(所有的杂质元素总和低于1ppm);XRD;电阻测试;
3,规格:单晶棒,圆片,晶圆,厚度可做到0.3mm;
4,掺杂:碲或锗;
5,服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料应用解决方案;提供免费样品;
提供电子迁移率,载流子浓度等检测报告;
6,用途:红外探测器件,锑化铟磁阻传感器;

锑化铟(InSb)单晶
1,工艺:提拉法生长锑化铟单晶;
2,纯度:6N(99.9999%) ;
3,检验: GDMS(所有的杂质元素总和低于1ppm);XRD;电阻测试;
3,规格:单晶棒,圆片,晶圆,厚度可做到0.3mm;
4,掺杂:碲或锗;
5,服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料应用解决方案;提供免费样品;
提供电子迁移率,载流子浓度等检测报告;
6,用途:红外探测器件,锑化铟磁阻传感器;
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