N沟道MOS,Vdss=100V,Id=5A,VGS=±20V,RDS(ON) < 160mΩ VGS=10V,封装SOT23-3
*一般描述:
IA5N10MI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
*一般特征:
VDS = 100V ID = 5A
RDS(ON)<160mΩ VGS = 10V
RDS(ON)<170mΩ VGS = 4.5V
*应用领域:
电池保护
负载开关
不间断电源供应
雾化器