、IA5N10SI-SOT89-3
N沟道MOS,Vdss=100V，Id=5A，VGS=±25，RDS(ON)<170m VGS=10V,封装SOT89-3
*一般描述：
IA5N10SI是单N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，可提供出色的RDS（on），低栅极电荷和低栅极电阻。 高达30V的工作电压非常适合开关模式电源SMPS，
笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
*一般特征：
RDS（ON）<170m VGS = 10V（N-Ch）
RDS（ON）<180m VGS = 4.5V（N-Ch）
超高密度电池设计，极低
RDS（ON）出色的导通电阻直流电流
*应用领域：
开关电源，SMPS
电池供电系统
DC / DC转换器
DC / AC转换器
负载开关
雾化器