沟道MOS,Vdss=100V，Id=2.8A ,VGS=±20V,RDS(ON) < 310mΩ VGS=10 V ,封装SOT23
*一般描述：
IA3N10BI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
*一般特征：
VDS = 100V ID = 2.8A
RDS（ON）<310mΩ VGS = 10 V.
应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源供应
雾化器
报价：面议
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