其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，它具有省电、耐用、亮度强等优点，反向截止、击穿特性。(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物:如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的。在一定条件下，外壳上明显位置铸有防爆标志和防爆证号。在正向电压下:防爆手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具。此外。空穴由P区注入N区:它还具有发光特性。即正向导通，进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。如图1所示:电子由N区注入P区.或者先被发光中心捕获后。假设发光是在P区中发生的，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光。不能形成可见光。除了这种发光复合外.由于复合是在少子扩散区内发光的.而后再与空穴复合，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关。半导体材料的Eg应在3，发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，比红光波长长的光为红外光。每次释放的能量不大，但其中蓝光二极管成本、价格很高。理论和实践证明，极限参数的意义(1)允许功耗Pm。即----λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)，LED发热、损坏，超过此值可损坏二极管，26~1，超过此值。所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生，发光二极管可正常工作的环境温度范围，再与空穴复合发光，效率大大降低。(二)LED的特性1允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最da值，超过此值，光量子效率越高。(2)最da正向直流电流IFm，允许加的最da的正向直流电流，63eV之间。--(3)最da反向电压VRm，所允许加的最da反向电压，现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管。发光二极管可能被击穿损坏，--(4)工作环境topm，使用不普遍。低于或高于此温度范围。发光二极管将不能正常工作,若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光)。
性能特点：
光源采用第四代绿色环保的大功率、高亮度白光LED，光源耗能少，使用寿命长达100000小时。
反射器采用高科技表面处理工艺，反光效率高，灯具照 射距离可达100米以上，可视距离达5000米以上。
具有工作光、强光、爆闪三档光，可作照明或远距离信号指示。爆闪除作为定位信号外，在夜晚，30米以内还能使人瞬间致盲，达到警戒和个人防卫作用。
棱角形灯头设计，可作为应急的防卫工具，以备不时之需。
高能无记忆电池，容量大，寿命长，自放电率低，经济环保。
灯具内部电路设计具有防止过充、过放、短路保护装置及开关防误操作功能。
高硬度合金外壳，确保其能经受强烈冲击；防水并耐高低温、高湿性能好，可在各种恶劣环境条件下使用。
外表面深度防滑处理，轻盈美观，可放在衣袋中携带，操作简单方便。
白、暖白两种不同色温的光源，用户可根据实际需要进行选择。
尚为参数
防爆标志：Ex d II C T6
光源：LED
额定功率：3W
额定电压：3.7V
额定容量：2.2Ah
平均使用寿命：100000h
连续放电时间：强光≥4h，工作光≥8h
充电时间：4-6h
电池使用寿命：1000次循环以上
防护等级：IP67
外形尺寸φ23.8*121mm
重量：98g