碳化硅物理特征
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高，较高电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。
碳化硅它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高，较高电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。
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